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在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位,以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu),稱(chēng)為光刻掩模版。
導(dǎo)體集成電路制作過(guò)程通常需要經(jīng)過(guò)多次光刻工藝,在半導(dǎo)體晶體表面的介質(zhì)層上開(kāi)鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形。
光刻工藝需要一整套(幾塊多至十幾塊)相互間能精確套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光復(fù)印掩蔽模版。